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大家發覺二氧化硅對某些雜質向硅中擴散能起掩蔽作用，使用這一特性和光刻技術造就了硅元器件平面工藝。在生產制造中，由于要重復地開展氧化，因此怎樣在硅晶體表層生長高品質二氧化硅的技術，便成為硅平面工藝的基礎。
為了確保二氧化硅層的品質，能夠選用宏觀經濟和外部經濟的方式開展檢測。宏觀法是用平行面日光燈觀查氧化層表層的品質，外部經濟可選用有機化學腐蝕，隨后根據光學顯微鏡開展觀察。下面介紹一下工藝中常用的方法及出現的問題。
測量氧化層厚度一般選用二種方式，即比色法和干預法。
比色法：生產制造中發覺，不一樣厚度的氧化層，展現出不一樣的顏色，伴隨著厚度的提升，顏色從深灰色逐漸變到鮮紅色，當厚度再次提升時，氧化層顏色從藍紫色到鮮紅色規律性轉變，因而大家制取了顏色與厚度中間關聯的表，用于粗略估計氧化層厚度。在氧化標準已定，加工工藝平穩的狀況下，選用這類方式是簡潔明了、便捷的。
另一種測氧化層厚度的方式是雙光干預法，它是運用氧化層臺階上干涉條紋數量來求氧化層的厚度，其優勢是機器設備簡潔明了，而且測量準確。
測量氧化層厚度首先要制取氧化層的臺階，在樣照的二氧化硅層上放黑膠或真空泵植物油脂維護一定地區，隨后放進鹽酸中，將未維護的二氧化硅層腐蝕掉，腐蝕時選用稀釋液的鹽酸實際效果不錯，氧化層的臺階較寬，此外時間不適合太長。腐蝕好之后，用二甲苯或甲苯將黑膠擦下去，在沒有腐蝕二氧化硅層的邊沿處展現一臺階，臺階越寬，顯示信息出的干涉條紋，就越清晰，測量也準確。
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